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關(guān)于人體曝露到0-3kHz電磁場(chǎng)安全水平的IEEE標準(一)

來(lái)源:北京康高特儀器設備有限公司 發(fā)布時(shí)間:2016-08-31 10:41:55 作者: 瀏覽次數:2517次 分類(lèi):技術(shù)文章

1. 總則

       本標準分為6章。*章規定本標準的范圍和目的。第2章列出實(shí)施本標準所需使用的其他標準的參考文獻。第3章提供許多定義,這在其他標準中所找不到的,或是隨同本標準的使用已經(jīng)進(jìn)行修改過(guò)的。第4章闡明保護的人群和相互作用的機制。第5章規定曝露的限值。而第6章詳細說(shuō)明制訂本標準所使用的基本原理。

       1.1范圍
       本標準規定了防止人體曝露到頻率0-3 kHz電場(chǎng)和磁場(chǎng)中有害影響的曝露水平。本標準的制訂考慮了人體從電場(chǎng)與磁場(chǎng)的曝露中已確定的生物影響機制。它并不適用于在療過(guò)程中所遇到的曝露。規定的曝露限值并不必然地能夠防止對療裝置的干擾,或是包括金屬植入物的問(wèn)題(見(jiàn)6.12節)。

       已確認的人體機制屬于短期效應的范疇,這些影響由已認識到的相互作用機制而得到理解。在本標準中所規定的曝露限值并不根據長(cháng)期曝露的潛在影響,這是因為:
       a)沒(méi)有足夠和可信的證據可供作出以下結論:長(cháng)期曝露到在社會(huì )公眾和職業(yè)環(huán)境可遇到的水平上的電場(chǎng)和磁場(chǎng),對人體健康是有害的,或是會(huì )引起包括癌癥在內的疾病。

       b)沒(méi)有確認的機制,可作為預示低水平、長(cháng)期曝露有害影響的基礎。

       分委員會(huì )注意到長(cháng)期曝露到磁場(chǎng)與疾病之間流行病學(xué)關(guān)聯(lián)的報道,包括在居住環(huán)境中的兒童白血病以及職業(yè)環(huán)境中的慢性淋巴白血病。這些關(guān)聯(lián)的解釋是不明確的,特別是因為曝露到磁場(chǎng)并不顯示始發(fā)或促進(jìn)白血病或其他形式癌癥的發(fā)展,而且在動(dòng)物中超出生命期的曝露,并不引發(fā)其他的疾病與癌癥。這與涉及不同學(xué)科的科學(xué)家專(zhuān)門(mén)小組的發(fā)現是一致的,這些專(zhuān)門(mén)小組已經(jīng)評估了科學(xué)機構和*機構在長(cháng)期曝露上的文獻。這些主要復核文獻的*新部分包括英國*輻射防護局的非電離輻射顧問(wèn)小組(AGNIR [B3]1),荷蘭衛生委員會(huì )(荷蘭 [B63]),美國環(huán)境衛生學(xué)學(xué)會(huì )(NIEHS [B64]:Olden[B68]),英國電氣工程師協(xié)會(huì )(IEE [B45]),國際腫瘤研究機構(IARC [B42]),國際非電離輻射防護委員會(huì )(ICNIRP [B43]),以及美國*研究委員會(huì )(NRC [B65])。

       因為上述復核中沒(méi)有一個(gè)作出從長(cháng)期曝露而來(lái)的任何危害已經(jīng)得到確認的結論,本標準并不提出低于必要的、用來(lái)保護短期有害效應的曝露限值。如果研究文獻中目前不確定性的解決證實(shí)需要限制長(cháng)期曝露到低于本標準中的限值的話(huà),分委員會(huì )將繼續評估新的研究,而且將修訂本標準。分委員會(huì )也將繼續評估在短期影響和模型上的新研究。如下所述,本標準根據有效的數據作出了一些合理的假設。如果新的數據成為有效而通用時(shí),委員會(huì )將會(huì )在今后的版本中重新審查這些假設。

       1.2 目的
       IEEE過(guò)去已經(jīng)制訂人體曝露到頻率范圍3 kHz-300 GHz電磁場(chǎng)的安全標準(IEEE [B46])。本標準的目的是制訂*頻率范圍 0-3kHz的曝露標準。對于脈沖場(chǎng)或是非正弦形場(chǎng),在本頻率范圍之外評估可接受的判據可能是必要的,如5.2.4.2節中所解釋的。


2. 參考文獻
       本標準應當連同下列的出版物2一起使用:
       標準鑒定委員會(huì ) C2-1997,*電氣安全法規R(NESCR)3。

       IEEE標準644TM-1994,IEEE關(guān)于測量交流電力線(xiàn)工頻電場(chǎng)和磁場(chǎng)的標準程序4。


       IEEE標準1460TM-1994,IEEE關(guān)于測量準-靜止磁場(chǎng)和電場(chǎng)的導則。


3. 定義,首字母縮略語(yǔ),符號
       3.1 定義
       為達到本標準的目的,適用下列的術(shù)語(yǔ)和定義。對未在本章中規定的術(shù)語(yǔ)應參考IEEE標準術(shù)語(yǔ)的*字典第7版 [B47]。

       3.1.1 動(dòng)作電位(action potential):神經(jīng)細胞對刺激的響應,包括橫跨細胞膜電位的傳導快速去極化。

       3.1.2 有害影響(adverse effect):由于曝露到電場(chǎng)或磁場(chǎng),或是一個(gè)接觸電流,對個(gè)人健康有害的影響。

       3.1.3 有害作用因子 (adverse reation factor Fa):一個(gè)倍率(乘數、倍數),用于從有害作用的閾值轉換導出*大許可曝露(MPE)水平。

       3.1.4 平均距離(averaging distance):在確定是否符合基本限值時(shí),生物體內平均電場(chǎng)對應的距離。

       3.1.5 平均時(shí)間(averaging time):為了確定是否符合*大許可曝露(MPE)或參考水平,曝露取平均值的適當時(shí)間段。

       3.1.6 軸向截面(axial cross section):在垂直長(cháng)軸的平面上所取得的人體橫截面。

       3.1.7 軸向曝露(axial exposure):垂直軸向截面的磁場(chǎng)曝露。

       3.1.8 基本限值(basic restrictions):在生物組織內避免有害影響的電勢限值,帶有可接受的安全因子。

       3.1.9 雙相的(biphasic):具有極性正反相的波形。

       3.1.10 心臟激勵(cardiac excitation):一個(gè)心臟收縮的電氣刺激。

       3.1.11 中央神經(jīng)系統 (central nervous system CNS):脊椎動(dòng)物神經(jīng)系統的一部分,包括腦和脊髓,但不包括周邊的神經(jīng)。

       3.1.12 大腦皮質(zhì)(cerebral cortex):腦細胞(灰色物質(zhì))卷曲的薄層,組成每個(gè)腦半球的外表面。

       3.1.13 導電率(conductivity):當一個(gè)電場(chǎng)施加到該材料時(shí),確定電流密度大小的一種材料性質(zhì),以每米西門(mén)子(S∕m)的單位來(lái)表達;是電阻率的倒數。

       3.1.14 接觸電流(contact current):通過(guò)一個(gè)接觸電極或其他電流源,流入生物媒質(zhì)的電流。

       3.1.15 受控環(huán)境(controlled environment):一個(gè)允許進(jìn)入的區域,進(jìn)入該區域的人知道在工作中伴隨有曝露的可能,這些人能認知曝露及其潛在的有害影響;或偶然通過(guò)設有*告標志的曝露區域,或是公眾不可能進(jìn)入的、或進(jìn)入的人知道可能存在潛在有害影響的環(huán)境。

       3.1.16 電暈(corona)(空氣):由于環(huán)繞導體的空氣發(fā)生電離,產(chǎn)生的發(fā)光的放電。系由超出某臨界值的電壓梯度所引起。

       3.1.17冠狀截面(coronal cross section):通過(guò)并行于其前視圖平面的軀體長(cháng)軸上取得的截面。

       3.1.18 冠狀曝露(coronal exposure):垂直于冠狀截面的磁場(chǎng)曝露。

       3.1.19 去極化(細胞的)(depolarization):降低橫跨細胞膜的剩余電位。

       3.1.20 直接電刺激(direct electrostimulation):外部電場(chǎng)或磁場(chǎng)所感應出來(lái),而并不直接接觸到其他的導體或火花放電的,由生物媒質(zhì)內電場(chǎng)產(chǎn)生的刺激。

       3.1.21 電場(chǎng)強度(electric field strength E):由電場(chǎng)作用在一個(gè)點(diǎn)電荷上的力,被電荷來(lái)除。電場(chǎng)強度以每庫倫的牛頓數或每米的伏數(N∕C=V∕m)來(lái)表達。

       3.1.22 電刺激(electrostimulation):由一個(gè)外施的電刺激,在可激勵組織內感應出一個(gè)傳導動(dòng)作電位;突觸前過(guò)程的電極化,引起突觸后細胞活動(dòng)上的變化。

       3.1.23 環(huán)境場(chǎng)(environmental field):軀體外的電場(chǎng)或磁場(chǎng),在軀體不存在時(shí)所測到的場(chǎng)值。

       3.1.24 已確認的機制(established mechanism):具有下列特性的一個(gè)生物電的機制:(a)可用于預料人體中的生物影響;(b)可用公式或參數關(guān)系作出一個(gè)明確的模型;(c)在人體內已得到證實(shí),或動(dòng)物的數據能可信地外推到人體上;(d)被強力的證據所支持;(e)在科學(xué)團體的專(zhuān)家中被廣泛接受者。

       3.1.25期外收縮(extra systole):一個(gè)感應的心臟收縮,通常是一個(gè)早現的收縮,阻斷正常的正弦形節律;一個(gè)強迫的心臟搏動(dòng)。

       3.1.26 公眾(general public):所有可能經(jīng)受曝露的個(gè)人,在受控環(huán)境中的人除外。

       3.1.27 握緊的接觸(grasping contact):與一個(gè)較大帶電導體、在手中牢固地握緊導體的電氣接觸。在本標準中,對這種接觸假設具有15 cm2的接觸面積。

       3.1.28 霍爾-效應電壓(Hall-effect voltage):在導電媒體內兩點(diǎn)間所產(chǎn)生的電壓,系由于磁場(chǎng)中移動(dòng)電荷的再分布。

       3.1.29 非直接電刺激(indirect electrostimulation):在電場(chǎng)或磁場(chǎng)(包括火花放電)影響下,通過(guò)接觸導電物體產(chǎn)生的刺激。

       3.1.30 感應(induction):由時(shí)變的外部(環(huán)境)電場(chǎng)或磁場(chǎng)作用引起的,在導電媒質(zhì)內的電場(chǎng)或磁場(chǎng)。

       3.1.31 在部位(in situ):在生物組織內。

       3.1.32 釋放電流(let-go current):閾值的電流水平,在此水平之上不自覺(jué)的肌肉收縮阻礙了緊握住帶電導體的釋放。

       3.1.33 對數正態(tài)分布(lognormal distribution):一項統計的分布,其中統計變量的對數是正態(tài)分布。

       3.1.34 勞倫茨力(lorentz force):在磁場(chǎng)內作用在移動(dòng)電荷上的力。

       3.1.35 磁場(chǎng)強度(magnetic field strength H):磁場(chǎng)向量的大小,以每米安倍(A∕m)的單位來(lái)表達。

       3.1.36 磁通密度(magnetic flux density B):決定作用在移動(dòng)電荷或電荷(電流)上力的一個(gè)向量的量,磁通密度以特斯拉(Tesla)為單位。1 G(高斯,舊單位)=10-4 T。

       3.1.37 磁流體動(dòng)力效應(magnetohydrodynamic effect):在流體體積上傳遞的一種力或電勢,由流體在磁場(chǎng)存在情況下移動(dòng)而發(fā)生。

       3.1.38 *大許可曝露(maximum permissible exposure MPE):人可能曝露到而沒(méi)有有害影響的,電場(chǎng)、磁場(chǎng)和接觸電流的均方根(rms)和峰值,并帶有一個(gè)可接受的安全因子。在本標準中的磁場(chǎng)曝露MPE是可以超過(guò)的,如果能夠證實(shí)基本限值沒(méi)有超出。

       3.1.39 平均值(mean):一系列測量或其他數據的算術(shù)平均值。

       3.1.40 中值(median):在統計分布范圍內,50%的數據在此值之上及此值之下的數值。

       3.1.41 中值閾值(median threshold):在統計分布范圍內的閾值,其中50%的對象具有較大的閾值,而50%具有較小的閾值。

       3.1.42 單相的(monophasic):在極性上沒(méi)有反相的波形。

       3.1.43 運動(dòng)神經(jīng)元(motor neuron):(a)始發(fā)一個(gè)周邊神經(jīng)激勵的中樞神經(jīng)元;(b)支配肌肉的一個(gè)周邊神經(jīng)。在本標準之中,通常使用(b)。

       3.1.44 有髓鞘的神經(jīng)(myelinated nerve):一個(gè)包括絕緣髓鞘質(zhì)護套的神經(jīng)纖維,系被稱(chēng)之謂“郎飛結”不絕緣的節片(部分)所阻斷。 (譯注:郎飛結系由髓神經(jīng)纖維絞扼所致的結,每隔約1mm有一個(gè),這些部位無(wú)髓鞘。)

       3.1.45 神經(jīng)(nerve):一束軸索。

       3.1.46 神經(jīng)纖維(nerve fiber):?jiǎn)蝹€(gè)的神經(jīng)軸索。

       3.1.47 神經(jīng)元(neuron):?jiǎn)蝹€(gè)的細胞單位,通常由一個(gè)軸索、細胞本體和枝狀樹(shù)所組成。

       3.1.48不均勻場(chǎng)(nonuniform field):在軀體或所考慮的部分軀體范圍,其振幅、方向、和相對相位并不相同的場(chǎng)。在電場(chǎng)的情況下,本定義適用于未被軀體存在而干擾的環(huán)境場(chǎng)。

       3.1.49 正常負荷工況(normal load conditions):電力輸電線(xiàn)路的*大運行電壓和電流,排除運行中斷的情況或其他事故運行工況。

       3.1.50 開(kāi)路電壓(open-circuit voltage):兩個(gè)導電物體間的電位差,沒(méi)有電流負荷施加到物體上。

       3.1.51 周邊神經(jīng)(peripheral nerve):中樞神經(jīng)系統和導向到和引出自中樞神經(jīng)系統之外的神經(jīng)。

       3.1.52 相持續時(shí)間(phase duration tp):一個(gè)波形(具有零平均值)在零交叉點(diǎn)之間的時(shí)間。對一個(gè)頻率為f的正弦形波,tp=1∕(2f)。對一個(gè)指數形的波形,tp被解釋為從波形峰值衰減到0.37(1∕e)峰值的這點(diǎn)間測得的持續間時(shí)間。

       3.1.53 光幻視(phosphene):由非光照刺激所引起的視感覺(jué)。電-光幻視由電流所感應;磁-光幻視由磁感應。

       3.1.54 極化(polarization細胞的):橫跨細胞膜形成的電位。

       3.1.55突觸后細胞(postsynaptic cell):在兩個(gè)神經(jīng)細胞間的聯(lián)會(huì )接點(diǎn)中接受激勵的細胞。

       3.1.56突觸前細胞(presynaptic cell):在突觸中提供激勵的細胞,通常是由一個(gè)神經(jīng)遞質(zhì)所釋放。

       3.1.57 或然率因子(probability factor Fp):一個(gè)用于導出*大許可曝露(MPE)或參考水平的倍率(乘數),該倍率將中值的閾值轉變?yōu)檩^低概率(≤1%)的閾值。

       3.1.58 提議的機制(proposed mechanism):一個(gè)并不具有已確認機制特性的生物電機制(參見(jiàn):已確認的機制)。

       3.1.59 相對相位(relative phase):一個(gè)正弦形波形的相角相對于另一個(gè)波形的相角,后者是在導電媒質(zhì)內不同點(diǎn)上測量的,或相對于所述的參考波形所測量的。

       3.1.60 基強度(rheobase):在強度-持續時(shí)間關(guān)系曲線(xiàn)(適用于刺激的持續時(shí)間長(cháng)于強度-持續時(shí)間的時(shí)間常數)中的*小閾值強度。也適用于強度-頻率關(guān)系曲線(xiàn)中的*小平穩段(平直部分)。

       3.1.61 均方根值(root-mean-square rms):對一系列測量(或臨時(shí)數序)取用測量平方或數據平方的算術(shù)平均值的平方根值的數學(xué)運算。

       3.1.62 安全因子(safety factor Fs):一個(gè)用于導出*大許可曝露(MPE)水平的倍率(乘數,≤1)。它為保護敏感個(gè)體以及由于病理學(xué)條件或藥物治療所致的閾值效應的不確定性、反應閾值的不確定性和感應模型的不確定性提供保證。

       3.1.63 徑向截面(sagittal cross section):沿軀體長(cháng)軸的一個(gè)截面,并行于其側視圖。

       3.1.64 徑向曝露(sagittal exposure):由垂直于徑向截面磁場(chǎng)而來(lái)的曝露。

       3.1.65 短期反應(short-term response):對電場(chǎng)或磁場(chǎng)刺激的一個(gè)生物反應,出現在曝露開(kāi)始后的幾秒鐘之內。

       3.1.66 火花放電(spark discharge):電流通過(guò)空氣間隙的傳遞,與直接接觸一個(gè)電源相反,它需要足夠高的電壓來(lái)電離空氣。

       3.1.67 比吸收率(specific absorption rate SAR):在給定密度的體積元內,一個(gè)增量重量所吸收(所消散)的增量能量的時(shí)間導數。SAR以每千克的瓦數(W∕kg)來(lái)表達。

       3.1.68 強度-持續時(shí)間曲線(xiàn)(strength-duration time):激勵閾值和激勵刺激持續時(shí)間間的函數關(guān)系。

       3.1.69 強度-持續時(shí)間的時(shí)間常數(strength-duradtion time constantτe):在強度-持續時(shí)間曲線(xiàn)中的函數參數,該參數描述基強度和上升閾值段之間的時(shí)間拐折點(diǎn)。

       3.1.70 強度-頻率曲線(xiàn)(strength-frequency curve):激勵閾值和激勵刺激性的頻率之間的函數關(guān)系。

       3.1.71 突觸(synapse):兩個(gè)神經(jīng)元之間的功能對合部,在此、電氣信號用電氣方法或化學(xué)方法從一個(gè)神經(jīng)元傳遞到另一個(gè)。在典型的突觸內,脈沖被一個(gè)化學(xué)物質(zhì)稱(chēng)之謂“神經(jīng)遞質(zhì)”的進(jìn)行傳遞。

       3.1.72 收縮期(systole):心臟的收縮。

       3.1.73 閾值(threshold):標出反應和沒(méi)有反應之間界限的刺激的水平。

       3.1.74 碰摸接觸(touch contact):人體軀體與帶電導體間小面積的接觸。在本標準中,假設的碰摸接觸面積是1 cm2的接觸區。

       3.1.75 均勻場(chǎng)(uniform field):在軀體或所考慮的部分軀體范圍內,其振幅、方向、和相對相位是常數的場(chǎng)。在電場(chǎng)的情況下,本定義適用于未被軀體存在而干擾的環(huán)境場(chǎng)。

       3.1.76 室性纖維顫動(dòng)(ventricular fibrillation):心室的心律不齊,特征是快速的不協(xié)調的收縮。

       3.1.77 視誘發(fā)電位(visual evoked potential VEP):在腦中產(chǎn)生的內生電位,在頭皮上測量以響應一個(gè)視覺(jué)的刺激。

       3.1.78 體素(voxel):一個(gè)三維的計算單元。

       3.1.79 波形(waveform):電氣振幅隨時(shí)間的變化。除非另有說(shuō)明,在本標準中,術(shù)語(yǔ)“波形”指明是生物媒質(zhì)內各部位的數值(或測量)。

       3.2 首字母縮略語(yǔ)和縮寫(xiě)詞
       B-field  磁通密度

       CNS     中樞神經(jīng)系統

       E-field  電場(chǎng)強度

       ECT     電驚厥治療法

       EMC    電磁兼容

       IARC    國際腫瘤研究機構

       ICNIRP  國際非電離輻射防護委員會(huì )

       IEE      英國電氣工程師協(xié)會(huì )

       MPE     *大許可曝露

       MRI     磁共振成像

       NIEHS   美國全國環(huán)境衛生學(xué)學(xué)會(huì )

       NRC     美國*研究委員會(huì )

       rms      均方根值

       SAR     比吸收率

       S-D    強度-持續時(shí)間(時(shí)間常數,曲線(xiàn)等)

       VEP     視誘發(fā)電位

       VF      室性纖維顫動(dòng)

       3.3 符號
       a,b    軀體曝露部分橢圓表達式的半長(cháng)軸和半短軸。

       Ai      波形傅立葉(函數)第i次分量的數值。

       B       磁通密度,以單位特斯拉(T,Tesla)來(lái)表達。1 G(高斯,舊單位)=10-4 T。

       Bo      在強度-持續時(shí)間曲線(xiàn)或強度-頻率曲線(xiàn)中的*小磁通密度。

       B       磁通密度的時(shí)間變化率(微分),dB∕dt,以每秒特斯拉(T∕s)來(lái)表達。

       Bp      磁通密度時(shí)間導數(微分)上的峰值許可限值。

       da      平均距離,用于確定是否符合生物組織內電場(chǎng)的基本限值。

       de      生物組織內電場(chǎng)的空間范圍。

       E       電場(chǎng)強度,以每米伏數(V∕m)來(lái)表達。

       Eo      在強度-持續時(shí)間曲線(xiàn)或強度-頻率曲線(xiàn)中的*?。ɑ鶑姸龋╇妶?chǎng)強度。

       Eot     基閾值電場(chǎng)強度。

       Eob     基強度的基本限值。

       Ei      在生物組織內的電場(chǎng)(V∕m)。

       f       頻率,以赫茲(Hz)來(lái)表達。

       fe      在強度-頻率曲線(xiàn)中的上轉折頻率(Hz)。

       fi       波形傅立葉(函數)第i次分量的頻率。

       Fa      有害作用因子。

       Fp      或然率因子。

       Fs      安全因子。

       h       人站立的高度,以米(m)來(lái)表達。

       H       磁場(chǎng)強度,以每米安倍數(A∕m)來(lái)表達。以公式B=μH關(guān)聯(lián)到磁通密度。

       Ic       接觸電流,以安倍(A)來(lái)表達。

       J        電流密度,以每平方米的安倍數(A∕m2)來(lái)表達。

       MEi     *大許可曝露,可以是在生物組織內的電場(chǎng)、環(huán)境的場(chǎng)、或是在頻率fi 下的接觸電流。

       μ      磁導率,以每米亨利數(H∕m)來(lái)表達。

       μo      真空或空氣中的磁導率,μo=4π×10-7 H∕m。

       σ       媒質(zhì)的導電率,以每米西門(mén)子(S∕m)來(lái)表達。

       τe      強度-持續時(shí)間曲線(xiàn)中的轉折時(shí)間,以秒(s)來(lái)表達。

       τh      施加到人體上電荷的泄漏時(shí)間常數。

       tp       相持續時(shí)間(s)。

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